Samsung откладывает освоение 3-нанометровой технологии GAAFET

По сообщениям отраслевых источников, компания Samsung отложила запуск производства 3-нанометровой полупроводниковой продукции, в которой используются транзисторы Gate All Around FET (GAAFET). Сам производитель называет этот технологический этап 3GAE. Хотя

Samsung рассчитывает в 2022 году разработать 3-нанометровый техпроцесс

По мнению источника, это означает, что Samsung вслед за Intel начнет значительно отставать от TSMC в области технологий. Тайваньский производитель полупроводниковой продукции рассчитывает к 2024 году осваивать нормы «2-нанометрового класса», используя многократную экспозицию EUV, кобальтовые контакты и внутренние соединения, легированные германием каналы и другие инновации собственной разработки. В связи с тем, что развитие технологий Intel застопорилось на этапе 10 нм, Samsung сейчас является единственной жизнеспособной альтернативой TSMC в производства передовых логических микросхем.

Подписаться
Уведомить о
guest
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии
IPTVCLUB.TEAM
Logo
Сбросить пароль