Honor Magic 3 получит память 3D NAND UFS 3.1, что позволит смартфону стать лидером Geekbench

Независимый бренд Honor готовит к выпуску смартфон Magic 3. Производитель официально подтвердил, что грядущая новинка получит поддержку улучшенной версии высокопроизводительной флэш-памяти 3D NAND UFS 3.1 производства компании Micron.

Скорость памяти

Флэш-память Micron 3D NAND состоит из 176 слоев. По сравнению с предыдущими версиями, 3D NAND UFS 3.1 обеспечивает до 75% более высокую скорость последовательной записи и на 70% более быструю скорость произвольного чтения. Благодаря скорости последовательной записи ~1,5 ГБ/с память способна загружать файл объёмом 14 ГБ (например фильм) всего за 9,6 секунды. Кроме того, загрузка 10-минутного 4K-видео может занять всего 0,7 секунды.

По утверждению производителя, новый тип хранилища обеспечивает уменьшенную задержку отклика примерно на 10%, по сравнению с флэш-памятью предыдущего поколения.

Производительность

По результатам тестирования в Geekbench Honor Magic 3 набрал 1215 баллов в одноядерном тесте и 3806 баллов в много-ядерном. Таким образом, грядущий гаджет почти на 100 баллов превзошел Black Shark 4 Pro и Xiaomi Mi 11 Ultra, которые, как и Honor Magic 3, базируются на SoC Snapdragon 888.

Характеристики

Официальный дебют Honor Magic 3 состоится 12 августа. Аппарат получит 6,76-дюймовый дисплей с разрешением 2772×1344 пикселей и частотой обновления 120 Гц, 8/12 ГБ ОЗУ, 128/256/512 ГБ ПЗУ UFS 3.1, аккумулятор на 4500 мАч и поддержку быстрой зарядки на 66 Вт. В качестве ОС будет использоваться Android 11 с оболочкой Magic UI 5.0 и сервисами Google.

Подписаться
Уведомить о
guest
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии
IPTVCLUB.TEAM
Logo
Сбросить пароль